fqpf5n60c参数

时间：2025-08-29 00:00:40

场效应MOS管FQPF5N60C参数

PD最大耗散功率：33W ID最大漏源电流：4.5A V(BR)DSS漏源击穿电压：600V RDS(ON)Ω内阻：2.5Ω VRDS(ON)ld通态电流：2.25A VRDS(ON)栅极电压：10V VGS(th)V开启电压：2~4V VGS(th)ld(μA)开启电流：250μAFQPF5N60C 是一款N沟道场效应晶体管，广泛应用于各种电源管理和功率控制系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。